양자에너지가 조사되는 식물 성장 촉진 시스템
양자에너지가 조사되는 식물 성장 촉진 시스템
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특허 출원일자 : 2020.07.28
특허 등록일자 : 2022.08.22
특허 등록번호 : 10-2436467-0000
본 발명에 실물 성장 촉진 시스템은 식물의 뿌리부분에 미네랄물질,효소물질,토양미생물이 함유된 산화질소를 가압하여 분사 및 잎에 엽면 시비하고,식물성장 촉진물질 및 수분변동억제 물질이 함유된 탄산수를 가압하여 식물의 잎에 분사하여 엽면 시비하고 양자에너지를 지표면 및 지상부에 조사하여 식물의 성장을 촉진 시키는 효과를 제공한다.
대표변리사 김순웅 |
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