본 발명은 P형 채널 플래시 메모리 소자의 소스를 플로팅시키는 단계; P형 채널 플래시 메모리 소자의 게이트, 드레인 및 기판에 각각 전압이 인가되어 기판에 정공이 주입되어 드레인에 전자가 집적됨으로써 1차 전자가 형성되는 단계; 드레인과 기판에 각각 전압이 인가되어 드레인과 기판 사이에 전장이 형성되어 전장의 작용하에 정공이 아래로 가속도 운동하여 P형 채널 플래시 메모리 소자의 기판과 충돌되어 2차 전자가 생성되는 단계; P형 채널 플래시 메모리 소자의 게이트 및 기판에 각각 전압이 인가되어 수직방향의 전장의 작용하에 2차 전자에 의해 3차 전자를 형성하도록 하고 1차 전자와 합쳐서 플로팅 게이트에 주입시켜 프로그래밍을 완성하는 단계;를 포함하는 B4 플래시 메모리 프로그래밍 방법을 제공한다. 본 발명은 프로그래밍 전압 작동 방식을 개선 및 최적화하여 3차 전자의 여기 및 밴드간 터널링의 2가지 방식을 결합하여 겹쳐서 프로그래밍함으로써 프로그래밍의 효율을 향상시킬 수 있는 동시에 바디 천공을 방지할 수 있으므로 플래시 메모리를 보다 축소하기 위한 조건을 만들 수 있다.