본 발명은 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드의 정제 방법, 상기 나노다이아몬드의 정제 방법에 의해 정제된 나노다이아몬드, 상기 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드 패턴의 형성 방법, 및 상기 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드 복합체의 전기전도도를 감소시키는 방법에 관한 것이다.플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드의 정제 방법, 상기 나노다이아몬드의 정제 방법에 의해 정제된 나노다이아몬드, 상기 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드 패턴의 형성 방법, 및 상기 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드 복합체의 전기전도도를 감소시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 구현예들에서는 O2 플라즈마에 기초하여 플라즈마기반 나노다이아몬드 (ND) 정제를 입증한다. 본 발명의 구현예들에 따르면, O2 플라즈마는 ND 표면 상에 산소를 기능화할 뿐만 아니라, 그래파이트 및 비결정성 탄소를 포함하는 비-다이아몬드 탄소를 선택적으로 제거한다.  본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 O2 플라즈마 내의 활성 산소가 비-다이아몬드 탄소의 선택적 제거를 유도하는데 핵심적인 역할을 담당하는 것으로 추정된다. 본 발명의 구현예들에 따르면, 상기 플라즈마가 대기압 및 주변 조건들에서 지속적으로 작용하기 때문에, 상기 접근법은 ND 파우더의 고속-대량 정제를 가능하게 할 수 있다. 또한, 상기 공정은 더 높은 차원...(이하생략)