에칭 기체, 즉, 플루오르화 수소(HF) 증기의 사용에 의한 미세전기-기계 구조체(microelectro-mechanical structures, MEMS)와 같은 미세 구조체(microstructures) 내의 이산화규소(SiO2)의 희생부의 에칭은 MEMS 내의 다른 부분, 특히 질화 규소(Si3N4) 부분에 대해 더 큰 선택도를 가지고 수행된다. 이는 HF 증기 내의 모노플루오르화물 활성종(F-, 및 HF)에 대한 디플루오르화물 활성종(HF2- 및 H2F2)의 비율을 증가시키는데 적합한 제2 비-에칭 기체를 부가함으로써 달성된다. 제2 비-에칭 기체는 수소 화합물 기체를 포함할 수 있다. 또한 HF 증기 내에서 모노플루오르화물 활성종(F-, 및 HF)에 대한 디플루오르화물 활성종(HF2- 및 H2F2)의 비율은 에칭 수행 온도를 20℃  또는 그 이하로 설정함으로써 증가될 수 있다.