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적외선 대역 중 태양광의 흡수율이 인접 파장대역에 비해 높은 파장대역에서의 양자효율이 향상되어 해당 파장대역을 포함하여 촬영시 실내뿐만 아니라 실외에서도 고품질 홍채이미지 획득이 가능한 CMOS 이미지 센서(An Image Sensor of Improving Quantum Efficiency for Infrared Region with High Absorption of the Rays of the Sun for Acquisition of High Qua…

페이지 정보

작성자 관리자 작성일 조회604회

본문



특허 출원일자 : 2016.04.29

특허 등록일자 : 2017.12.21

특허 등록번호 : 10-1813141-0000



본 발명은 실내뿐만 아니라 실외에서도 고품질 홍채이미지 획득이 가능한, 적외선 대역 중 태양광의 흡수율이 인접 파장대역에 비해 높은 파장대역에서의 양자효율이 향상된 이미지 센서에 관한 것이다. 이를 위하여 실내 또는 실외에서 홍채이미지를 획득하는 장치에 구성되는 CMOS 이미지 센서에 있어서, 적외선 대역 중 태양광의 흡수율이 인접 파장대역에 비해 높은 파장대역 중 파장이 920nm~960nm인 제1대역, 1,110nm~1,160nm인 제2대역 및 1,300nm~1,500nm인 제3대역 중 적어도 하나의 적어도 일부에서, 기존의 CMOS 이미지 센서에 비해 특정 파장에 대한 양자효율이 높게 구성되어, 상기 파장대역을 포함하여 홍채이미지를 촬영 시 태양광에 의한 노이즈가 저감되는 것을 특징으로 하는, 적외선 대역 중 태양광의 흡수율이 인접 파장대역에 비해 높은 파장대역에서의 양자효율이 향상되어 해당 파장대역을 포함하여 촬영시 실내뿐만 아니라 실외에서도 고품질 홍채이미지 획득이 가능한 CMOS 이미지 센서가 제공될 수 있다. 이에 따르면 실외에서 홍채 촬영시 태양광에 의한 노이즈가 저감되고, 고품질 홍채이미지의 획득이 가능해지는 효과가 발생된다.

정진국제특허법률사무소 상담문의 02-6677-7612